华为自研全新 DoB 封装技术:绕过 400 层 NAND 造出 122TB 企业级 SSD,未来还计划推出 245TB 版本

AI资讯 · 0 阅读 · 2026-05-24 · 自动采集
IT之家 5 月 24 日消息,据 Blocks & Files 报道,华为于 5 月 20 日至 21 日在巴黎举行的 ID Forum 2026 活动上展示了基于自研 Die-on-Board(板上裸片封装,DoB)封装技术的大容量 SSD 系列。其中一款面向 AI 推理和数据中心的全新 SSD 提供 61.44TB 与 122.88TB 两种容量,而且华为未来还计划推出 245TB 版本。IT之家此前报道,华为在去年 8 月发布了三款全新 AI SSD 产品,其中 LC560 就曾承诺推出最大 245TB 的容量。华为使用自主研发的 DoB 封装技术,将更多 NAND Die 直接封装在 PCB 电路板上,从而绕开传统 TSOP 或 BGA 封装对芯片数量的限制,提供更高的密度和更好的性能。目前三星等原厂已经推出 400 层以上的 3D NAND 产品,但相关芯片涉及美国技术,所以无法向华为供应最新 NAND 芯片。因此,华为选择通过封装层面的创新提升容量密度。传统主流 SSD 供应商(如三星、铠侠、闪迪、美光等)通常采用多芯片堆叠在 TSOP 或 BGA 封装内部,然后再焊接到 PCB 上。传统 TSOP / BGA 封装受限于封装体的固定物理尺寸,最多只能实现 16 层裸片堆叠,而 DoB 技术最高可实现 36 层堆叠,突破了这一物理限制。相比于 TSOP 或 BGA 封

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